ความแตกต่างระหว่าง CMOS และ TTL: เปรียบเทียบระหว่าง CMOS และ TTL และความแตกต่าง

CMOS vs TTL

กับการถือกำเนิดของเทคโนโลยีเซมิคอนดักเตอร์, วงจรรวมได้รับการพัฒนาและพวกเขาได้พบวิธีการในรูปแบบของเทคโนโลยีที่เกี่ยวข้องกับอิเล็กทรอนิกส์ทุก จากการสื่อสารกับยาอุปกรณ์ทุกชิ้นมีวงจรรวมซึ่งวงจรถ้าใช้กับชิ้นส่วนธรรมดาจะกินพื้นที่ขนาดใหญ่และพลังงานสร้างจากเวเฟอร์ซิลิคอนขนาดเล็กที่ใช้เทคโนโลยีเซมิคอนดักเตอร์ขั้นสูงในปัจจุบัน

วงจรรวมดิจิตอลทั้งหมดถูกใช้โดยใช้ประตูตรรกะเป็นตัวสร้างพื้นฐาน แต่ละประตูถูกสร้างขึ้นโดยใช้ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ขนาดเล็กเช่นทรานซิสเตอร์ไดโอดและตัวต้านทาน ชุดของประตูตรรกะที่สร้างขึ้นโดยใช้ทรานซิสเตอร์คู่และตัวต้านทานเป็นที่รู้จักกันโดยทั่วไปว่าเป็นตระกูล TTL gate เพื่อที่จะเอาชนะข้อบกพร่องของประตู TTL วิธีการที่ทันสมัยมากขึ้นได้รับการออกแบบมาสำหรับการก่อสร้างประตูเช่น pMOS, nMOS และชนิดของโลหะเซมิคอนดักเตอร์เมทัลออกไซด์ที่เป็นที่นิยมและล่าสุดหรือ CMOS

ในวงจรรวมประตูจะสร้างขึ้นบนเวเฟอร์ซิลิกอนซึ่งเรียกว่าเทคนิคเป็นพื้นผิว ด้วยเทคโนโลยีที่ใช้ในการสร้างประตู IC จะแบ่งประเภทเป็นครอบครัว TTL และ CMOS เนื่องจากคุณสมบัติโดยทั่วไปของการออกแบบประตูขั้นพื้นฐานเช่นระดับแรงดันไฟฟ้าสัญญาณการใช้พลังงานเวลาในการตอบสนองและขนาดของการรวมกลุ่ม

ข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ TTL

James L. Buie แห่ง TRW ได้คิดค้น TTL ในปีพ. ศ. 2504 และทำหน้าที่แทนลอจิก DL และ RTL และเป็นตัวเลือก IC สำหรับวงจรเครื่องมือและคอมพิวเตอร์เป็นเวลานาน วิธีการรวม TTL ได้รับการพัฒนาอย่างต่อเนื่องและแพคเกจที่ทันสมัยยังคงใช้งานเฉพาะด้าน

ประตูตรรกะ TTL สร้างจากทรานซิสเตอร์และตัวต้านทานทรานซิสเตอร์สองขั้วแบบคู่เพื่อสร้างเกท NAND อินพุตต่ำ (I

L _{) และอินพุตสูง (I} H _{) มีช่วงแรงดัน 0 L <0. 8 และ 2 <5. 0 ตามลำดับ ช่วงเอาต์พุตต่ำและเอาต์พุตช่วงแรงดันไฟฟ้าสูงคือ 0 L <0. 4 และ 2. 6 H <5. 0 ตามลำดับ แรงดันไฟฟ้าอินพุทและขาออกที่ยอมรับได้ของประตู TTL จะเป็นไปตามระเบียบวินัยแบบคงที่เพื่อแนะนำระดับภูมิคุ้มกันของเสียงที่สูงขึ้นในการรับส่งสัญญาณ ประตู TTL โดยเฉลี่ยมีการกระจายพลังงาน 10mW และการหน่วงเวลาการขยายตัว 10nS เมื่อขับโหลดโอห์ม 15pF / 400 แต่การใช้พลังงานค่อนข้างคงที่เมื่อเทียบกับ CMOS TTL มีความต้านทานต่อการรบกวนจากคลื่นแม่เหล็กไฟฟ้าสูงขึ้นด้วย ตัวแปรต่างๆของ TTL ได้รับการพัฒนาขึ้นเพื่อวัตถุประสงค์เฉพาะเช่นชุด TTL ที่แข็งตัวสำหรับการใช้งานในอวกาศและ Low-Power Schottky TTL (LS) ที่ให้ความเร็วในการผสมผสานที่ดี (9.5ns) และลดการใช้พลังงาน (2mW)}

ข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ CMOS

ในปี 1963 Frank Wanlass ของ Fairchild Semiconductor ได้คิดค้นเทคโนโลยี CMOS อย่างไรก็ตามวงจรแรกของ CMOS ไม่ได้ผลิตมาจนกระทั่งปี 1968 แฟรงก์ Wanlass ได้จดสิทธิบัตรการประดิษฐ์เมื่อปี 2510 ขณะทำงานที่อาร์ซีเอในเวลานั้น

ตระกูลลอจิก CMOS ได้กลายมาเป็นตระกูลลอจิกที่ใช้กันแพร่หลายมากที่สุดเนื่องจากมีข้อดีมากมายเช่นการใช้พลังงานน้อยลงและเสียงต่ำในระดับการส่งผ่าน ไมโครโพรเซสเซอร์ไมโครคอนโทรลเลอร์และวงจรรวมทั้งหมดใช้เทคโนโลยี CMOS

ประตูตรรกะ CMOS ถูกสร้างขึ้นโดยใช้ทรานซิสเตอร์ที่มีผลต่อสนาม FETs และวงจรส่วนใหญ่ไม่มีตัวต้านทาน เป็นผลให้ประตู CMOS ไม่ใช้พลังงานใด ๆ เลยในระหว่างสภาวะคงที่โดยที่สัญญาณอินพุตยังคงเดิม อินพุตต่ำ (I

L) และอินพุตสูง (I _H ) มีช่วงแรงดัน 0 L <1. 5 และ 3. 5 <5. 0 และ Output Low และ Output ช่วงแรงดันไฟฟ้าสูงคือ 0 L _{<0. 5 และ 4. 95} H _{<5. 0 ตามลำดับ} อะไรคือความแตกต่างระหว่าง CMOS และ TTL? _{•ส่วนประกอบ TTL มีราคาถูกกว่าคอมโพเนนต์ CMOS ที่เทียบเท่า อย่างไรก็ตามเทคโนโลยี CMOS มีแนวโน้มที่จะประหยัดในขนาดใหญ่เนื่องจากส่วนประกอบของวงจรมีขนาดเล็กและต้องมีการควบคุมน้อยกว่าเมื่อเทียบกับส่วนประกอบ TTL} •ส่วนประกอบ CMOS ไม่ใช้พลังงานในสภาวะคงที่ แต่การใช้พลังงานจะเพิ่มขึ้นตามอัตรานาฬิกา ในทางกลับกัน TTL มีระดับการใช้พลังงานที่คงที่

•เนื่องจาก CMOS มีความต้องการกระแสไฟต่ำการใช้พลังงานมี จำกัด และวงจรจึงง่ายและราคาถูกกว่าสำหรับการจัดการพลังงาน

•เนื่องจากเวลาในการเพิ่มขึ้นและลดลงสัญญาณดิจิตอลในสภาพแวดล้อมของ CMOS อาจไม่แพงและซับซ้อน

•ชิ้นส่วน CMOS มีความไวต่อการขัดข้องทางแม่เหล็กไฟฟ้ามากกว่าชิ้นส่วน TTL