ความแตกต่างระหว่าง MOSFET และ BJT

MOSFET และ BJT

ทรานซิสเตอร์คืออุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ที่ให้สัญญาณเอาท์พุทที่เปลี่ยนไปโดยทั่วไปสำหรับการเปลี่ยนแปลงเล็ก ๆ น้อย ๆ ในสัญญาณอินพุทขนาดเล็ก เนื่องจากอุปกรณ์นี้สามารถใช้เป็นเครื่องขยายเสียงหรือสวิทช์ได้ ทรานซิสเตอร์ได้รับการปล่อยตัวในทศวรรษ 1950 และถือได้ว่าเป็นสิ่งประดิษฐ์ที่สำคัญที่สุดชิ้นหนึ่งในศตวรรษที่ 20 เมื่อพิจารณาถึงการมีส่วนร่วมในด้านไอที เป็นอุปกรณ์ที่มีการพัฒนาอย่างรวดเร็วและมีทรานซิสเตอร์หลายประเภท Bipolar Junction Transistor (BJT) เป็นประเภทแรกและ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) เป็นทรานซิสเตอร์ชนิดอื่นที่แนะนำในภายหลัง

ทรานซิสเตอร์ขั้วบวก (BJT)

BJT ประกอบด้วยจุดเชื่อมต่อสองจุด (ทางแยกที่ทำโดยการเชื่อมต่อเซมิคอนดักเตอร์ชนิด p และสารกึ่งตัวนำชนิด n) จุดเชื่อมต่อทั้งสองนี้ถูกสร้างโดยใช้การเชื่อมต่อชิ้นส่วนเซมิคอนดักเตอร์ 3 ชิ้นตามลำดับของ P-N-P หรือ N-P-N ดังนั้นจึงมีสองประเภทของ BJTs ที่เรียกว่า PNP และ NPN มีอยู่

สามขั้วไฟฟ้าเชื่อมต่อกับชิ้นส่วนสารกึ่งตัวนำสามตัวนี้และตะกั่วกลางเรียกว่า 'ฐาน' อีกสองทางแยกคือ 'emitter' และ 'collector'

ใน BJT กระแสไฟฟ้าของเครื่องเก็บประจุขนาดใหญ่ (Ic) ปัจจุบันจะถูกควบคุมโดยกระแสลัดวงจรของฐานขนาดเล็ก (IB) และคุณสมบัตินี้ถูกนำไปใช้ในการออกแบบเครื่องขยายหรือสวิทช์ ดังนั้นจึงถือได้ว่าเป็นอุปกรณ์ขับเคลื่อนในปัจจุบัน BJT ส่วนใหญ่จะใช้ในวงจรเครื่องขยายเสียง

ทรานซิสเตอร์ Field Effect Transistor (MOSFET)

MOSFET คือทรานซิสเตอร์ Field Effect Transitor (FET) ซึ่งประกอบด้วยสามขั้วที่เรียกว่า 'Gate', 'Source' และ ' ท่อระบายน้ำ ที่นี่ท่อระบายน้ำปัจจุบันจะถูกควบคุมโดยแรงดันประตู ดังนั้น MOSFETs เป็นอุปกรณ์ควบคุมแรงดันไฟฟ้า

MOSFET มีให้เลือก 4 แบบเช่นช่อง n หรือช่อง P ที่มีโหมดพร่องหรือโหมดการเพิ่มประสิทธิภาพ แหล่งจ่ายไฟและแหล่งจ่ายไฟทำจากเซมิคอนดักเตอร์ชนิด n สำหรับ MOSFET ช่อง n และในทำนองเดียวกันสำหรับอุปกรณ์ช่อง P ประตูทำจากโลหะและแยกออกจากแหล่งกำเนิดและท่อระบายน้ำโดยใช้โลหะออกไซด์ ฉนวนกันความร้อนนี้ทำให้การใช้พลังงานต่ำและเป็นข้อได้เปรียบใน MOSFET ดังนั้น MOSFET จึงถูกใช้ในลอจิก CMOS ดิจิตอลโดยใช้ MOSFET ช่อง P และ N เป็นตัวสร้างเพื่อลดการใช้พลังงาน

ถึงแม้แนวคิดของ MOSFET จะถูกนำมาใช้ในช่วงต้น (ในปีพ. ศ. 2468) แต่ก็มีการใช้งานจริงในปีพ. ศ. 2502 ที่ Bell Labs

BJT และ MOSFET

1. BJT นั้นเป็นอุปกรณ์ที่ขับเคลื่อนด้วยกระแสแม้ว่า MOSFET ถือเป็นอุปกรณ์ควบคุมแรงดันไฟฟ้า

2 เทอร์มินัลของ BJT เรียกว่า emitter, collector และ base ในขณะที่ MOSFET ทำจากประตูแหล่งกำเนิดและท่อระบายน้ำ

3 ในส่วนของแอพพลิเคชันใหม่จะมีการใช้ MOSFET มากกว่า BJTs

4 MOSFET มีโครงสร้างที่ซับซ้อนกว่า BJT

5 MOSFET มีประสิทธิภาพในการใช้พลังงานมากกว่า BJTs และใช้ในเหตุผล CMOS