ความแตกต่างระหว่าง NPN และ PNP ความแตกต่างระหว่าง

NPN กับ PNP

Bipolar Junction Transistors หรือมากกว่าเพียง BJTs เป็น 3 อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์เซมิคอนดักเตอร์ โดยทั่วไปจะทำจากวัสดุที่เจือปนและมักใช้ในการเปลี่ยนหรือขยายแอปพลิเคชัน

ในสาระสำคัญมีคู่ของไดโอด PN junction ในทรานซิสเตอร์ทุกขั้ว คู่นี้ถูกรวมเข้าด้วยกันซึ่งเป็นแซนวิชที่วางชนิดของเซมิคอนดักเตอร์ไว้ในระหว่างสองประเภทเดียวกัน ดังนั้นมีเพียงสองประเภทของ Bipolar Sandwich และนี่คือ PNP และ NPN

BJTs เป็นหน่วยงานกำกับดูแลในปัจจุบัน โดยปกติแล้วปริมาณของกระแสไฟฟ้าหลักที่ผ่านมาจะถูกควบคุมโดยการอนุญาตหรือ จำกัด ไว้ซึ่งจะได้รับการจัดการโดยและขึ้นอยู่กับกระแสไฟฟ้าที่มีขนาดเล็กลงจากฐาน กระแสไฟฟ้าที่เล็กลงเรียกว่า 'current current' ซึ่งเป็น 'base' กระแสไฟฟ้าที่ควบคุม (หลัก) เป็นทั้งจาก 'collector' ไปยัง 'emitter' หรือ vice-versa ขึ้นอยู่กับชนิดของ BJT ซึ่งเป็น PNP หรือ NPN

ปัจจุบันทรานซิสเตอร์สองขั้วของ NPN มีการใช้กันมากที่สุดในสองประเภท เหตุผลหลักในการนี้คือความสามารถในการเคลื่อนที่ของอิเล็กตรอนแบบพิเศษของ NPN เทียบกับการเคลื่อนที่ของรูในสารกึ่งตัวนำ ดังนั้นจึงช่วยให้ปริมาณมากขึ้นในปัจจุบันและทำงานได้เร็วขึ้น นอกจากนี้ NPN จะสร้างได้ง่ายขึ้นจากซิลิคอน

ด้วยทรานซิสเตอร์ NPN ถ้าอีซีแอ็ทเตอร์มีแรงดันไฟฟ้าต่ำกว่าขาตั้งในฐานกระแสจะไหลจากตัวเก็บประจุไปยังอีเทอร์ มีกระแสไฟฟ้าเพียงเล็กน้อยที่จะไหลจากฐานไปยังอีซีแอล การไหลของกระแสผ่านทรานซิสเตอร์ (จากตัวเก็บประจุไปยังอีซีแอล) จะถูกควบคุมโดยแรงดันไฟฟ้าที่ฐาน

ฐาน 'หรือชั้นกลางของทรานซิสเตอร์ NPN คือสารกึ่งตัวนำ P ซึ่งเจือปนเบา ๆ มันเป็นแซนวิชระหว่างสองชั้น N ซึ่งในตัวเก็บข้อมูลประเภท N ในทรานซิสเตอร์จะถูกเจือปนอย่างหนัก ด้วย PNP ทรานซิสเตอร์อยู่บนฐานเมื่อดึงฐานต่ำเมื่อเทียบกับอีซีแอลหรือในแง่อื่น ๆ จะมีการขยายขนาดเล็กในปัจจุบันออกจากฐานในโหมด emitter ทั่วไปในเอาท์พุทตัวเก็บรวบรวม

สรุป:

1. NPN มีการเคลื่อนที่ของอิเล็กตรอนสูงกว่า PNP ดังนั้นทรานซิสเตอร์สองขั้วของ NPN มักได้รับความนิยมมากกว่าทรานซิสเตอร์ PNP

2 NPN สามารถสร้างได้ง่ายกว่าซิลิกอนจาก PNP

3 ความแตกต่างหลักของ NPN และ PNP เป็นฐาน หนึ่งเป็นเพียงตรงข้ามของอื่น ๆ

4 ด้วย NPN สารกึ่งตัวนำ P-dope เป็นฐานในขณะที่ PNP ฐาน 'เป็น N-dope semiconductor