ความแตกต่างระหว่าง BJT และ MOSFET ความแตกต่างระหว่าง
ทรานซิสเตอร์ BJT และ MOSFET มีประโยชน์สำหรับการขยายและสลับแอพพลิเคชั่น แต่พวกเขามีลักษณะที่แตกต่างกันอย่างมีนัยสำคัญ
BJT เช่นเดียวกับ Bipolar Junction Transistor เป็นอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ที่เปลี่ยนหลอดสุญญากาศของสมัยก่อน contraption เป็นอุปกรณ์ควบคุมกระแสที่เก็บหรือเอาท์พุท emitter เป็นหน้าที่ของปัจจุบันในฐาน โดยทั่วไปโหมดการทำงานของทรานซิสเตอร์ BJT จะถูกขับเคลื่อนโดยกระแสที่ฐาน ขั้วทั้งสามของทรานซิสเตอร์ BJT เรียกว่า Emitter, Collector และ Base
BJT เป็นซิลิคอนที่มีสามส่วน มีสองจุดเชื่อมต่ออยู่ในแต่ละพื้นที่ที่มีชื่อแตกต่างกันคือ "P และ N. มีสองประเภทของ BJTs ทรานซิสเตอร์ NPN และทรานซิสเตอร์ PNP ชนิดที่แตกต่างกันในผู้ให้บริการค่าของพวกเขาในนั้น NPN มีรูเป็นผู้ให้บริการหลักในขณะที่ PNP มีอิเล็กตรอน
หลักการทำงานของทรานซิสเตอร์ BJT, PNP และ NPN มีความเหมือนกัน ความแตกต่างเพียงอย่างเดียวคือการบีบอัดและขั้วของแหล่งจ่ายไฟสำหรับแต่ละประเภท หลายคนชอบ BJTs สำหรับแอพพลิเคชันที่ใช้งานในระดับต่ำเช่นสำหรับการสลับจุดประสงค์เช่นเนื่องจากราคาถูกกว่า
ทรานซิสเตอร์ Field-Effect Transistor ของโลหะออกไซด์หรือเพียง MOSFET และบางครั้งก็เป็นทรานซิสเตอร์ MOS ซึ่งเป็นอุปกรณ์ควบคุมแรงดันไฟฟ้า ซึ่งแตกต่างจาก BJT ไม่มีฐานอยู่ในปัจจุบัน อย่างไรก็ตามมีเขตข้อมูลที่ผลิตโดยแรงดันไฟฟ้าที่ประตู นี้จะช่วยให้การไหลของกระแสระหว่างแหล่งที่มาและท่อระบายน้ำ กระแสไฟฟ้านี้อาจถูกบีบออกหรือเปิดโดยแรงดันไฟฟ้าที่ประตู
ในทรานซิสเตอร์นี้แรงดันไฟฟ้าบนอิเล็กโทรดขั้วประตูที่หุ้มออกไซด์สามารถสร้างช่องสำหรับการนำระหว่างแหล่งกำเนิดอื่น ๆ 'แหล่งจ่ายไฟและท่อระบายน้ำ สิ่งที่ยอดเยี่ยมเกี่ยวกับ MOSFET คือการจัดการพลังงานได้อย่างมีประสิทธิภาพมากขึ้น ทรานซิสเตอร์ที่ใช้กันมากที่สุดในวงจรดิจิตอลและอนาล็อกแทนที่ BJTs ที่นิยมกันแล้ว
สรุป:
1. BJT เป็น Bipolar Junction Transistor ขณะที่ MOSFET เป็นทรานซิสเตอร์แบบ Field-Effect Transistor ของโลหะออกไซด์
2 BJT มี emitter, collector และ base, ในขณะที่ MOSFET มี gate, source และ drain.
3 BJTs เป็นที่นิยมสำหรับแอ็พพลิเคชันที่ใช้งานในระดับต่ำในขณะที่ MOSFETs เป็นฟังก์ชันที่มีกำลังสูง
4 ในวงจรดิจิทัลและอนาล็อก MOSFETs จะถูกพิจารณาให้ใช้กันอย่างแพร่หลายมากกว่า BJTs ในปัจจุบัน
5 การดำเนินการของ MOSFET ขึ้นอยู่กับแรงดันไฟฟ้าที่อิเล็กโทรดขั้วประตูที่มีออกไซด์ในขณะที่การทำงานของ BJT ขึ้นอยู่กับกระแสที่ฐาน
